マイクロフェーズ
小間番号
3S-P05
3S-P05
シランガスを生成しながらSi膜を低温成膜できるSiH4-CVD装置
当社独自に開発したSi成膜用CVD装置で、モノシランガスを小規模に生成しながら、熱（or プラズマ）CVD装置に導入し、基板やLIBの負極材などに、アモルファスSi膜を低温に成膜することが可能なCVD実験装置。導入ハードルと費用が非常に高いモノシランガスボンベのインフラ整備は不要、一貫した減圧状態にしているため、安全性も高い。LIBの次世代負極材（Si膜/ポーラスC基材）の研究開発などにご使用できる。受託成膜も承っている
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当社独自に開発したSi成膜用CVD装置で、モノシランガスを小規模に生成しながら、それを熱CVD装置あるいはプラズマCVD装置に導入し、基材やLIBの負極材などに、アモルファスSi膜を低温に成膜することが可能なCVD実験装置。
導入ハードルと費用が非常に高いモノシランガスボンベのインフラ整備は不要、また、一貫した減圧状態にしているため、安全性も高い。LIBの次世代負極材（Si膜/ポーラスC基材）の研究開発にご使用できる。
当該装置を用いた受託成膜も承っております。
製品・サービスカテゴリー
ナノ材料
複合材料（ナノコンポジット）
電池材料
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