AIの急速な発展により、コンピュータ間配線が電気から光への移行が進んでいます。特に半導体素子と光素子を同一基板上に集積するCo-packaged Optics（光電融合技術）が注目されています。光電融合技術に関して産総研の取り組みを中心に紹介します。

AIの急速な進化に伴い、データセンターで使用されるGPUなどには飛躍的な演算性能向上が求められる一方、消費電力および発熱密度が急増し、冷却能力が性能向上を制約する「熱の壁」が顕在化している。このため、発生した熱をいかに効率的に外部へ逃がすかが喫緊の課題であり、その解決には放熱材料の高熱伝導化に加え、デバイスと材料が接する界面の熱抵抗を低減し、熱流路全体を最適化することが不可欠である。本講演では、界面熱抵抗を正確に把握するためにレゾナックが取り組んでいる測定・評価技術を紹介する。さらに、良好な放熱性とパッケージ信頼性の両立を目指したサーマルインターフェイスマテリアルとして、カーボン系材料や低温焼結接合材をはじめとする金属系材料の開発状況を紹介するとともに、バルク樹脂の熱輸送特性に着目した高放熱化への取り組みも報告する。これらを通じ、材料と界面の両面から放熱課題に挑むレゾナックの姿勢を示す。

AIの急速な普及に伴い、データセンターの消費電力は急増しており、電力供給能力の確保とエネルギー効率の向上が社会的課題となっている。こうした「電力の壁」を克服するためには、電力変換システムの高効率化、高電力密度化、高信頼化が不可欠であり、その実現を支える中核技術として、従来のSiパワーデバイスの性能限界を超えるSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスへの期待が高まっている。本講演では、AIデータセンターを支える次世代電力インフラの実現に向けて、SiCおよびGaNパワーデバイスが果たす役割を概説するとともに、最新の研究開発動向を紹介する。さらに、これらの技術が切り拓く次世代パワーエレクトロニクスの方向性について議論する。